삼성전자, 초고성능 ‘8GB HBM2 D램’ 공급 늘린다

기존 그래픽 D램보다 8배 빨라
내년 상반기 비중 50% 이상으로

삼성전자가 인공지능(AI) 시스템용 ‘8GB(기가바이트) HBM2(고대역폭 메모리) D램’<사진>의 양산 규모를 대폭 늘린다.

슈퍼컴퓨터(HPC) 시장뿐 아니라 네트워크, 그래픽카드 시장까지 최고 사양을 갖춘 ‘8GB HBM2 D램’의 공급을 확대하기 위해서다.

8GB HBM2 D램은 기존 그래픽 D램(8Gb GDDR5, 8Gbps)의 전송 속도(32GB/s)보다 8배 빠른 초당 256GB(20GB용량 UHD급 화질의 영화 13편을 1초에 전송) 속도로 데이터 전송이 가능하다.


삼성전자는 글로벌 IT 고객들의 요구에 맞춰 HBM2 제품군 중 8GB HBM2 제품의 양산 규모를 확대해 내년 상반기에는 그 비중을 50% 이상으로 늘릴 계획이라고 18일 밝혔다.

삼성전자는 작년 6월 8GB HBM2 D램 양산을 시작해 AI 서비스에 활용되는 슈퍼컴퓨터용 메모리 시장을 개척한 데 이어 기존 하이엔드 그래픽카드 시장까지 프리미엄 D램 활용처를 확대해왔다.

8GB HBM2 D램에는 삼성전자의 ‘초고집적 TSV 설계’와 ‘발열 제어 기술’ 등 850여 건의 핵심 특허가 적용돼 고객들의 차세대 시스템에 고용량ㆍ초고속ㆍ초절전 등 최적의 솔루션을 제공한다.

이번 제품은 1개의 버퍼 칩 위에 8Gb(기가비트) HBM2 D램 칩(20나노 공정 기반) 8개를 적층한 구조로, 각 칩에 5000개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 ‘TSV 접합볼’로 수직 연결한 ‘초고집적 TSV 설계 기술’이 적용됐다.

또한 4GB HBM2 D램과 동일한 크기에 2배의 용량을 제공, 인공지능시스템의 성능 한계 극복에 기여했다. 차세대 시스템의 소비전력 효율도 약 2배 높였다.

한재수 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 “업계에서 유일하게 양산 중인 8GB HBM2 D램 공급 확대로 고객들이 차세대 시스템을 적기에 출시하는 데 기여하게 됐다”며 “향후 차세대 HBM2 D램 라인업 출시를 통해 다양한 글로벌 고객들과 사업협력 체제를 강화해 나갈 것”이라고 강조했다.

이승환 기자/[email protected]

▶HBM(High Bandwidth Memory): ‘고대역폭 메모리’로, TSV 기술을 적용해 기존의 금선을 이용한 D램 패키지에 비해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품. 최신 인공지능 서비스용 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 그래픽카드 등의 프리미엄 시장에 최적의 솔루션을 제공한다.

▶TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극): D램 칩을 웨이퍼의 1/15의 두께인 50㎛ 수준으로 얇게 깎은 후, 수천 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결한 최첨단 패키징 기술.

Print Friendly