삼성전자, 중국 시안 반도체 2기 라인 착공…2019년까지 70억 달러 투자

- 2012년 1치 착공 후 현재까지 총 100억 달러 투자 집행
- 중국 서부지역 산업에 긍정적 파급효과 기대

[헤럴드경제=이승환 기자] 삼성전자가 중국 낸드플래시 메모리 시장 공략의 전초기지로 꼽히는 ‘중국 시안 반도체 2기 라인’을 28일 착공했다.

2012년 1기 라인 착공에 이어 5년 6개월 만이다. 2기 라인은 총 70억 달러를 들여 2019년까지 완공할 계획이다.

2기 라인이 완공되면 삼성전자는 글로벌 낸드플래시 시장에서 확고한 독주 체제를 굳힐 전망이다.

삼성전자 중국 시안 반도체 공장 1라인

삼성전자는 28일 오전 중국 산시성 시안시에서 후허핑 산시성 성위서기, 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 삼성전자 대표이사 김기남 사장 등이 참석한 가운데 ‘삼성 중국 반도체 메모리 제2 라인 기공식’을 가졌다.

김기남 사장은 기념사를 통해 “시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 차별화된 솔루션을 고객에게 제공해 글로벌 IT 시장 성장에 지속 기여하겠다”고 말했다.

작년 8월 삼성전자는 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성 정부와 MOU를 체결한 바 있으며 향후 3년간 총 70억 달러를 투자하기로 결정했다. 시진핑 집권 2기체제를 맞아 규모가 가장 큰 대중국 투자다. 


삼성전자는 중국 시안에 반도체 2기 라인을 구축해 낸드플래시(V-NAND)를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 적극 대응한다는 계획이다. 월 생산능력은 투입 웨이퍼 기준 약 10만장으로, 12만장 규모의 1라인과 더불어 월 22만장 안팎의 생산능력을 보유하게 된다.

삼성전자는 이번 2기 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일, IT업체들의 생산기지가 집중돼 있는 중국 시장에서 제조 경쟁력을 강화하고, 중국 시장 요구에 원활히 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

특히 이번 추가 투자로 시안시를 비롯한 산시성 지역 경제 활성화와 중국 서부지역 산업에도 긍정적 파급효과가 예상된다.

삼성전자 시안 반도체 사업장은 2012년 1기 기공식을 시작으로 2013년 전자연구소 설립, 2014년 1세대 V-NAND 양산 및 2015년 후(後)공정 라인 완공 등 현재까지 100억 달러가 투입됐다.

nice@heraldcorp.com

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