반도체 가격 급락세…D램ㆍ낸드플래시 이을 ‘차세대 반도체’ 재조명

20190313000329_0메모리 반도체 가격의 하락폭이 점차 커지자 반도체 업계의 ‘상저하고’에 대한 기대감에 수정이 불가피해졌다.

이에 반도체 시장을 지배하고 있는 D램과 낸드 플래시에 대한 대안으로 차세대 반도체에 주목하는 분위기다. 해외에서도 차세대 반도체로 M램이 주목을 받으면서 시장 형성의 시기가 도래했다는 전망이 나온다.

13일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 ‘28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반의 내장형 M램(embedded Magnetic Random Access Memory)’ 솔루션 제품을 출하했다.

M램은 자성체에 전류를 가해 발생하는 자기저항 효과를 이용한 메모리 반도체다. 전원을 꺼도 데이터가 유지되는 ‘비휘발성’이면서도 D램 수준으로 속도가 빠르다는 특성을 갖고 있다. 삼성전자가 이번에 내놓은 내장형 M램은 두 기술이 합쳐져 전력을 적게 소모하면서 속도가 빠르고, 소형화가 쉽다는 장점이 있다.

업계 관계자는 “내장형 M램은 반도체 칩안에 보조장치로 들어가는 것으로, 아직 D램 용량에 훨씬 못 미쳐 D램을 대체하는 것은 아니어서 차세대 반도체 시장이 열렸다고 보긴 어렵다”면서도 “파운드리(반도체 위탁생산) 업계에서는 나름 의미가 있고, 기술이 상업형태로 구현되기 위한 초기 단계에 진입했다는 의미 부여를 할 수 있다”고 말했다.

삼성전자는 올해 안에 1Gb 내장형 M램 테스트칩 생산을 시작하는 등 기존 D램에 비해 단점으로 꼽혀 온 메모리 용량 확대에 나설 계획이다.

SK하이닉스도 차세대 반도체 개발을 착실히 진행해 오고 있다.

하이닉스는 PC램, M램, Re램(저항 변화 메모리) 분야의 다양한 어플리케이션 관련 핵심 기술을 개발하고 있다. 특히 M램은 일본 도시바와 지속적으로 공동 개발(Joint Development)을 진행 중이다. 차세대 메모리 반도체 시장이 본격화되는 시점에 맞춰 시장 대응에 나설 예정이다.

앞서 인텔은 지난달 22㎚ 내장형 M램을 공개했다. 업계에서는 인텔이 MCU(마이크로 컨트롤러, 마이크로프로세서와 입출력 모듈을 하나의 칩으로 만들어 정해진 기능을 수행하는 컴퓨터)의 내장형 플래시를 대체하기 위해 M램을 개발 중인 것으로 보고 있다.

이에 따라 삼성전자, TSMC, 글로벌파운드리 등 파운드리업체들이 내장형 플래시 대체용으로 STT-M램(Spin-Transfer Torque Magnetoresistive RAM, 스핀주입 자화반전 자기저항 메모리) 제공을 계획하고 있는 것으로 알려져 있다.

도현우 NH투자증권 연구원은 “M램, Re램 등 차세대 메모리는 수십년 전부터 기술 개발이 진행돼 왔고, 몇 년 전부터는 실제 양산을 시작한 업체도 나타났다”며 “메모리 표준 지정을 주도하는 인텔이 M램에 관심을 갖기 시작하면서 향후 관련 산업 조성 속도가 빨라질 것”이라고 예상했다.

[헤럴드경제=이태형 기자]

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