[SK하이닉스 제공]

[헤럴드경제=서경원 기자] 첨단 반도체 기술력을 앞세워 글로벌 메모리 시장을 주도하고 있는 SK하이닉스가 정부로부터 대한민국 과학기술 발전에 기여한 공로를 인정받았다.

SK하이닉스는 21일 서울 역삼동 한국과학기술회관에서 열린 ‘2026 과학·정보 통신의 날 기념식’에서 정우표(사진) 부사장(낸드 개발 부문장)이 과학기술훈장 도약장을 수훈했다고 밝혔다.

정 부사장은 33년간 D램과 낸드플래시(이하 낸드) 개발 분야에서 여러 차례 세계 최초 개발의 성과를 보이며 우리나라 메모리 반도체 경쟁력을 제고, 국가 산업 발전에 이바지한 공로를 인정받았다.

정 부사장은 커리어 초기 15년 동안은 D램 개발에 참여해 세계 최초 512Mb(메가비트) 모바일 D램 개발을 이끄는 등 우리나라가 글로벌 D램 시장의 강자로 올라서는 데 중추적인 역할을 했다. 이후 18년 동안은 낸드 개발에 매진해 3D 2세대(32단)부터 4D 9세대(321단)까지 8세대 연속 개발 과정을 주도하며, 우리나라 메모리 반도체 기술 역량을 세계 수준으로 끌어올렸다.

특히 정 부사장은 낸드 적층 한계를 극복하기 위한 기술 변곡점마다 독보적인 성과를 거두며 기술 혁신을 주도해 왔다. 2011년에는 이전 세대 대비 성능을 개선한 21나노 낸드를 세계 최초로 개발해 업계의 이목을 집중시켰고, 이어 2014년부터 연이어 2세대(32단), 3세대(48단)와 4세대(64단) 낸드를 세계 최초 개발하며 낸드 구조가 2D에서 3D로 전환되는 시기의 시장 흐름을 주도했다. 특히 이 과정에서 확보한 1Gbps(초당 기가비트) 초고속 동작 회로 및 저전력 회로 설계 기술은 3D 낸드의 응용처를 확대하는 기폭제 역할을 했다.

또 그는 2019년 128단 6세대 낸드를 세계 최초로 개발한 것을 시작으로, 2021년에는 176단 7세대 낸드로 세계 최고 수준의 읽기 및 품질 성능을 달성했다. 이어 2022년에는 업계 최소 칩 사이즈를 구현한 238단 8세대 낸드를 성공적으로 개발하고 512Gb 용량을 가장 먼저 상용화하며 앞선 기술력을 입증했다. 2024년에는 현존 최고층인 321단 9세대 1Tb(테라비트) TLC 낸드를 세계 최초로 개발해, 4D 낸드 기술의 한계를 또 한 번 돌파해 냈다.

아울러 정 부사장은 설계에 적용되는 시뮬레이션 방법을 전면 개선하고 FPGA 기반 검증 툴을 자체 개발해 검증력을 강화하는 등 메모리 반도체 설계 방식을 고도화했다. 이처럼 설계 전반의 효율성과 완성도가 향상되면서, 차세대 메모리 제품 기간을 대폭 단축해 적기에 시장에 선보이는 데 기여했다.

정 부사장은 “매번 기술적인 한계를 가장 먼저 극복하고 적기에 차세대 제품을 시장에 공급할 수 있었던 원동력은 현장에서 함께 집념을 발휘해 준 동료들의 헌신과 노력 덕분이었다”며 “이번 훈장은 개인이 아닌 SK하이닉스 기술 혁신의 역사를 써 내려가고 있는 모든 구성원을 대신해 받은 것”이라고 소감을 전했다.