최진혁 삼성전자 미주 메모리연구소장 (DSRA-Memory) 부사장이 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 ‘MemCon(멤콘) 2024’에서 기조연설을 하고 있다. [삼성전자 제공]

[헤럴드경제=김민지 기자] 삼성전자가 업계 최초로 낸드와 D램을 결합해 성능을 높이면서 비용을 줄이는 신개념 메모리 솔루션을 선보였다. HBM(고대역폭메모리) 후속 게임체인저로 불리는 CXL(컴퓨트익스프레르링크) 시장을 선점하기 위한 전략으로 풀이된다.

삼성전자는 26일(현지시간) 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 ‘MemCon(멤콘) 2024’에서 AI 시대에서의 CXL 기술력을 강조하며 업계 최초의 CMM-H TM을 포함한 다양한 솔루션과 고성능·고용량의 HBM을 선보였다.

CXL은 확장성을 무기로 CPU와 메모리 사이에 발생하는 데이터 병목현상을 줄이고 시스템 성능을 개선하는 솔루션이다. 쉽게 말해, 데이터들을 운반하는 ‘도로’를 확장하는 차세대 인터페이스로 이론상 서버에 필요한 D램을 무한대로 확장할 수 있다. 전력 효율을 높이는 데도 탁월하다. 데이터 처리량이 급증하는 AI 시대에 꼭 필요한 기술로 각광받고 있다.

삼성전자는 이번 멤콘2024에서 용량 측면에서는 CXL 기술이, 대역폭 측면에서는 HBM 기술이 미래 AI시대를 주도해 나갈 것이라고 강조했다.

최진혁 삼성전자 미주 메모리연구소장 (DSRA-Memory) 부사장은 이날 키노트 연설을 통해 ▷낸드와 D램을 함께 사용하는 CMM-H(Hybrid) ▷메모리 풀링 솔루션인 ‘CMM-B(Box)’ 등 새로운 CXL 기반 솔루션을 공개했다. 삼성전자는 CXL 메모리 모듈을 ‘CMM’이라 칭하며 관련 상표권을 출원하고 있다.

이번에 처음 공개된 CMM-H의 경우, 세계 최초의 FPGA(프로그래머블반도체) 기반 계층형 메모리 솔루션이다. 애드-인 카드 폼팩터에 D램과 낸드 미디어를 결합하는 방식으로 성능을 최대화하는 동시에 총소유비용(Total Cost of Ownership, TCO)를 크게 절감할 수 있다.

CXL의 메모리 풀링은 여러 대의 서버에서 사용되는 메모리를 하나의 풀로 묶어 관리하는 기술이다.메모리 자원의 효율적인 관리가 가능하고 시스템의 안전성을 높일 수 있다.

최 부사장은 “삼성전자만의 다양한 CXL 기반 솔루션을 통해 메모리 용량과 대역폭을 대거 향상시킬 수 있다”며 “지속적인 메모리 혁신과 파트너들과의 강력한 협력을 통해 AI 시대 반도체 기술 발전을 이끌겠다”고 강조했다.

삼성전자는 HBM 솔루션 리더십도 강조했다. 황상준 부사장은 키노트에서 “현재 양산 중인 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) HBM에 이어, 12단 5세대(HBM3E) HBM과 32기가비트(Gb) 기반 128기가바이트(GB) DDR5 제품을 올해 상반기에 양산할 것”이라며 이를 통해 AI 시대 고성능 고용량 메모리 리더십을 이어가겠다고 밝혔다.

삼성전자는 이번 ‘멤콘 2024’에서 부스를 마련하고 세계 최초의 12단 HBM3E 제품을 전시했다. 삼성전자는 지난달 업계 최초로 12단 HBM3E 개발에 성공했다고 밝히며 고객사에 샘플을 납품했다고 발표했다. TC NCF 기술을 활용해 이전 제품에 비해 칩의 수직 밀도를 20% 이상 향상, 고적층 HBM 시장에서 주도권을 쥐겠다는 전략이다.