SK하이닉스, 美 메모리 행사에 HBM3E 12단·321단 낸드 선봬

SK하이닉스 321단 낸드 샘플 제품 [SK하이닉스 제공]

[헤럴드경제=김현일 기자] SK하이닉스가 오는 6~8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열리는 메모리 반도체 행사 ‘FMS 2024’에 참가해 5세대 고대역폭 메모리(HBM3E) 12단 제품과 321단 낸드 샘플 등 차세대 인공지능(AI) 메모리 제품을 선보인다.

1일 SK하이닉스에 따르면 행사 첫 날인 6일 권언오 SK하이닉스 부사장(HBM PI 담당)과 김천성 부사장(WW SSD PMO)이 ‘AI 시대, 메모리와 스토리지 솔루션 리더십과 비전’을 주제로 기조연설을 진행한다.

권 부사장이 D램, 김 부사장은 낸드 분야 발표를 맡아 AI 구현에 최적화된 SK하이닉스의 D램, 낸드 제품 포트폴리오와 AI 메모리 솔루션을 소개할 예정이다.

전시 제품에는 올 3분기 양산 계획인 HBM3E 12단, 내년 상반기 양산을 목표로 준비 중인 321단 낸드 샘플 등이 포함됐다. SK하이닉스는 작년 FMS에서 세계 최고층 321단 낸드를 최초로 공개한 바 있다.

이번 행사에선 SK하이닉스 주력 제품들이 탑재된 고객사의 시스템 제품도 함께 전시해 빅테크 고객들과의 긴밀한 파트너십도 강조할 계획이다.

지난해까지 낸드 플래시 행사로 진행됐던 FMS는 AI 시대에 발맞춰 올해부터 D램을 포함한 메모리, 스토리지 전 영역으로 분야를 확대했다. 행사명도 기존 ‘플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit)’에서 ‘미래 메모리 및 저장장치(Future Memory and Storage)’로 바뀌었다.

SK하이닉스는 “FMS 영역 확대에 발맞춰 올해는 제품 전시뿐 아니라 기조연설을 통한 회사 비전 발표 등 많은 준비를 했다”며 “AI 메모리 솔루션 미래를 선도하는 당사 경쟁력을 업계 전반에 알리는 기회로 이번 행사를 적극 활용하겠다”고 강조했다.

메모리 업계 여성 리더들을 알리기 위해 진행되는 ‘FMS 슈퍼우먼 콘퍼런스’에는 SK하이닉스 최초 여성 연구위원인 오해순 부사장(Advanced PI 담당)이 참석해 ‘SK하이닉스의 미래 기술 혁신과 다양성(Diversity)에 대한 이해’를 주제로 발표한다.

김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra 담당)은 “AI 시대가 본격화되면서 D램, 낸드 단품보다는 여러 제품을 결합해 성능을 높인 메모리 솔루션의 중요성이 점차 커지고 있다”며 “이번 FMS를 통해 이 분야를 선도하는 당사의 1등 경쟁력과 기술력을 글로벌 시장에 각인시킬 것”이라고 말했다.

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