한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄 부사장이 11일(현지시간) 미국 라스베이거스 CES 2024 현장에서 진행된 국내 기자단 DS부문 반도체 전시관 투어 중 환영사를 하고 있다. [삼성전자 제공]

미국 라스베이거스 CES 2024 삼성전자 DS부문 반도체 전시관 전경[삼성전자 제공]

[헤럴드경제(라스베이거스)=김민지 기자] 삼성전자가 “반도체 시장에서 유일하게 메모리와 파운드리를 시너지를 낼 수 있다”고 강조했다.

삼성전자는 11일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열린 ‘CES 2024’에서 인공지능(AI) 반도체 제품 ▷생성형 AI, 온디바이스 AI용 D램 ▷차세대 스토리지용 낸드플래시 솔루션 ▷2.5/3차원 패키지 기술 등을 대거 선보였다.

이날 한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장은 기자들과 만나 “고성능 컴퓨팅 생성형 AI 시대에 삼성전자가 정말 파운드리와 메모리의 융합을 통해 큰 강자가 되지 않을까 자신하고 있다”며 “메모리와 파운드리의 시너지가 본격적으로 나타날 것으로 기대된다”고 말했다.

그러면서 “그 시너지의 파급력은 향후 삼성전자만의 강점을 보여줄 수 있는 킬러 애플리케이션이 등장하면 드러날 것”이라며 “메모리와 파운드리를 융합할 수 있는 잠재력이 있는 곳은 삼성전자밖에 없다고 여러 기업 CEO들이 평가한다”고 말했다.

HBM에 대해서는 “HBM 시장은 이제 본격적으로 성장하는 그런 시기라고 생각한다”며 “다른 공급사 들이 너무 HBM을 열심히 해서 삼성도 긴장하면서 매출을 키워야겠다고 생각하고 있다”고 말했다. SK하이닉스가 HBM 시장에서 삼성보다 소폭 높은 점유율을 차지하고 있는 것을 의식한다는 의미로 풀이된다.

이어 한 부사장은 “올해 HBM CAPEX(설비투자) 규모를 2.5배 이상으로 늘리려고 한다며 “2~3년 뒤에는 이렇게 어려운 시기에 CAPEX를 높게 유지한 효과가 나타날 것이고, 제품 경쟁력 향상과 기술 개발을 통해 미국 AI 서버 시장에서 점유율을 50% 이상으로 끌어올릴 수 있도록 할 것”이라고 말했다.

“2025년 차세대 반도체 시장의 수요가 공급을 초과할 것으로 예상되는 만큼 올해는 이를 대비하는 원년이라고 보면 된다”며 “미국에서는 본격적으로 온디바이스 AI를 사용한 AI PC가 출시되면서 올해 하반기부터 시장이 반등할 것으로 보고 있다”고 말했다.

삼성전자는 이날 앙코르 호텔 내 전시공간에 가상 반도체 팹(Virtual FAB)을 설치하고, 5개 주요 응용처별 솔루션 공간을 밀도 있게 구성했다. ▷서버 ▷PC/그래픽 ▷모바일 ▷오토모티브 ▷라이프스타일 등이다.

특히 지난해 10월 처음 공개한 HBM3E D램 ‘샤인볼트’도 보였다. 12단(적층) 기술을 활용해 1초에 1280기가바이트의 대역폭과 최대 36기가바이트의 고용량을 제공한다. 기존 HBM3 제품 대비 성능과 용량을 50% 이상 개선했다.

지난해 9월 업계 최초로 개발한 단일칩 기준 현존 최대 용량의 32기가비트 DDR5 D램은 서버용 고용량 라인업으로 동일 패키지 사이즈에서 실리콘 관통 전극(이하 TSV) 기술 없이도 128기가바이트(GB) 고용량 모듈 구성이 가능하다. TSV까지 사용한다면 최대 1테라바이트(TB) D램 모듈을 구현할 수 있어 메모리 기술의 한계를 극복한 제품으로 평가받는다.

제2의 HBM 시장으로 불리는 CXL에서의 경쟁력도 드러냈다. 삼성전자의 CMM-D(CXL Memory Module D램)는 기존 DDR 인터페이스 기반의 D램 모듈이 아닌 CXL 인터페이스 기반 모듈 제품이다. 이 제품은 서버 전면부(기존 SSD 장착 위치)에 여러 대를 장착할 수 있어 서버 한 대당 메모리 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다. 대용량 데이터의 빠른 처리가 필수적인 생성형 AI 플랫폼 적용에 핵심적인 역할을 할 전망이다.