SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설 현장 [SK하이닉스 뉴스룸]

[헤럴드경제=김민지 기자] SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹(반도체 생산시설)의 첫 삽을 떴다.

25일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면, SK하이닉스는 전날 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 본격 착공에 들어갔다. 당초 다음 달부터 1기 팹 착공에 들어갈 계획이었으나 용인시가 예정보다 빠르게 인허가 절차를 진행, 지난 21일 건축을 허가하면서 착공 시점보다 계획보다 앞당기게 됐다.

용인 반도체 클러스터는 총 415만㎡(약 126만평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만평, 소부장 업체 협력화단지 14만평, 인프라 부지 12만평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지이다.

SK하이닉스는 이곳에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이다. 첫 번째 팹은 2027년 5월 준공이 목표다.

SK하이닉스는 이곳을 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 삼고, 향후 급증하는 AI 메모리 반도체의 수요에 적기에 대응한다는 계획이다.

SK하이닉스 측은 “클러스터 내 50여개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정”이라고 설명했다.

1기 팹 내부에는 국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 구축할 계획이다. 미니팹은 반도체 소부장 등을 실증하기 위해 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설로, 이를 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 협력사에 제공해 자체 기술 완성도를 높일 수 있도록 지원한다.

최태원 SK그룹 회장은 2023년 9월 부지 조성 작업 중인 용인 클러스터 현장을 방문, “용인 클러스터는 SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고도 전략적으로 추진되는 프로젝트”라며 “지금까지 해오던 대로 하는 것 이상의 도전이 필요하다”고 강조한 바 있다.

SK하이닉스는 지난해 7월 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 1기 팹과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4000억원을 투자하기로 결정했다.