삼성전자 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문에서 미국 전기전자공학회(IEEE) 펠로(석학회원)가 배출됐다. IEEE는 세계 최대 규모의 전기·전자·컴퓨터·통신 분야 학회다. IEEE 펠로우 선정은 개인의 성취를 넘어, 한국 반도체 기술이 세계 무대에서 인정받고 있음을 보여주는 의미 있는 이정표라는 평가다.

22일 삼성전자 반도체 뉴스룸에 따르면 송기봉(왼쪽) 삼성전자 DS부문 DSRA(미주 반도체연구소) 시스템LSI연구소장 부사장과 한진우(오른쪽) 반도체연구소 D램 TD(기술개발)팀 상무가 2026년 IEEE 펠로로 선정됐다.

글로벌 빅테크 기업들을 거쳐 삼성전자 미주 반도체연구소에 합류한 송 부사장은 현재 시스템LSI 미주 연구소를 총괄하며 모뎀, 커넥티비티, 온디바이스 AI, 시스템 온 칩(SoC) 기술 개발을 이끌고 있다. 현재까지 무선통신, 신호처리, 모뎀-RF 시스템을 위한 인공지능(AI) 기술 등과 관련해 다수의 연구 논문을 발표했고, 80건이 넘는 특허를 보유하고 있다.

DS부문 반도체연구소에서 차세대 D램 연구 조직을 담당하는 한 상무는 반도체 미세화 한계를 극복하기 위해 ‘차세대 3D D램’ 연구를 선도하며 새로운 메모리 구조의 가능성을 탐구해 왔다. D램 셀을 평면이 아닌 수직 방향으로 쌓아 칩 면적당 저장 용량을 확장하는 이 접근법은 차세대 메모리 기술의 핵심으로 주목받고 있다.

미 항공우주국을 거쳐 삼성전자에 합류한 한 상무는 200건 이상의 특허와 160편 이상의 SCI급 논문을 발표하며, 메모리, 로직, 센서 등 다양한 분야에서 연구 성과를 쌓아왔다.

서경원 기자