SK하이닉스, 美어플라이드와 차세대 HBM 협력

실리콘밸리 R&D시설 창립 합류
차세대 D램·HBM 파트너십 체결
양사 전문가, 현지 연구개발 협업


박광선(왼쪽부터) 어플라이드 머티어리얼즈 코리아 대표, 프라부 라자 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹 사장, 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장, 강유종 SK하이닉스 구매부문(부사장)이 장기 파트너십을 체결하고 기념촬영을 하고 있다. [어플라이드 머티어리얼즈 제공]


삼성전자에 이어 SK하이닉스도 미국 반도체 장비업체 어플라이드 머티어리얼즈(AMAT)가 미국 실리콘밸리에 조성 중인 연구개발(R&D) 시설 ‘에픽(EPIC)센터’의 창립 파트너로 합류한다.

SK하이닉스와 어플라이드는 차세대 D램과 고대역폭메모리(HBM)의 개발 및 도입을 가속화하기 위한 장기 파트너십을 체결했다고 11일 밝혔다.

양사 엔지니어들은 어플라이드 에픽센터에서 협업하며 신기술 개발에 속도를 낼 예정이다. 초기에는 신소재 탐색, 복합공정 통합, HBM급 첨단 패키징 구현에 초점을 두고 메모리 아키텍처의 성능과 양산성 향상에 주력할 방침이다.

SK하이닉스는 싱가포르에 위치한 어플라이드의 첨단 패키징 R&D 역량을 활용해 디바이스 수준의 혁신과 이종 집적을 연계하며 3D 첨단 패키징 분야의 새로운 과제에도 대응할 계획이다.

게리 디커슨 어플라이드 회장 겸 최고경영자(CEO)는 “SK하이닉스를 에픽센터의 창립 파트너로 맞이하게 돼 기쁘다. 인공지능(AI) 시대를 위한 차세대 D램과 HBM 기술의 상용화를 앞당기는 의미 있는 혁신을 함께 만들어가길 기대한다”고 밝혔다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 “AI 발전에 따른 가장 큰 과제는 메모리 속도와 프로세서 성능 간 격차가 점점 벌어지고 있다는 점”이라며 “이러한 한계를 극복하기 위해 에픽센터에서 어플라이드와 협력해 AI에 최적화된 차세대 메모리 설루션을 구현할 혁신 로드맵을 제시할 수 있길 기대한다”고 덧붙였다.

올해 가동을 앞둔 에픽센터는 미국 내 반도체 장비 R&D 투자로는 역대 최대 규모인 50억달러(약 7조2400억원)가 투입된다.

초기 연구부터 대규모 양산에 이르기까지 혁신 기술의 상용화 기간을 획기적으로 단축하도록 설계됐다. 칩 제조사들은 빠른 학습주기를 확보해 차세대 기술의 양산 전환을 앞당길 수 있을 것으로 기대하고 있다.

프라부 라자 어플라이드 반도체 제품 그룹 사장은 “SK하이닉스와의 협력은 전체 기술 스택을 최적화하고 양산이 가능한 메모리 혁신으로 가는 길을 더욱 빠르게 열어줄 것”이라고 말했다.

차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장 사장도 “AI 시대 메모리 기술 발전을 위해선 웨이퍼 팹 장비 개발에 대한 새로운 접근이 필요하다”며 “에픽센터에서 어플라이드 엔지니어들과 작업함으로써 더 빠른 학습 주기와 양산 수준의 기술 검증을 통해 차세대 AI 메모리 개발을 앞당길 것”이라고 설명했다.

김현일 기자

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