총 600조원이 투입되는 SK하이닉스 용인 클러스터의 첫 전진 기지가 외관을 갖추기 시작했다. 총 4개의 팹 가운데 선발주자인 1기 팹의 골조 공사가 한창 진행되면서 ‘K-반도체’ 게임체인저의 윤곽이 드러나고 있다. 사진은 SK하이닉스 용인클러스터 전경. [SK하이닉스 제공]

[헤럴드경제=박지영 기자] SK하이닉스가 지난해 4분기 실적도 역대 최고 타이틀을 경신하며 연간·분기 모두 사상 최대 실적을 거뒀다. HBM(고대역폭메모리) 매출이 전년 대비 두 배 이상 성장해 2024년에 이어 또 다시 최고 실적을 경신했다. 매출, 영업이익, 영업이익률 모두 역대 가장 높다.

이로써 삼성전자의 연간 전사 영업이익을 사상 처음으로 넘어섰다. 아울러 지난해 4분기 대만 TSMC의 분기 영업이익률도 웃돌며 수익성 측면에서도 새로운 이정표를 세웠다.

28일 SK하이닉스는 2025년 연간 매출액 97조1467억원, 영업이익 47조2063억원(영업이익률 49%)을 기록했다고 밝혔다. 순이익은 42조9479억원으로, 순이익률은 44%다.

지난해 2분기부터 매분기 신기록을 경신, 지난해 4분기 매출액·영업이익도 역대 최고치를 찍었다. 2025년 4분기 매출액은 32조8267억원, 영업이익은 19조1696억원, 순이익은 15조2460억원을 기록했다.

2024년에 비해 매출은 30조원 이상 증가, 영업이익은 2배 수준으로 크게 뛰며 기존 최고 실적을 기록한 2024년을 훌쩍 뛰어넘었다.

앞서 삼성전자가 지난 8일 발표한 잠성실적에 따르면 지난해 회사 전체 영업이익은 43조5300억원으로 집계됐다.

분기 기준으로는 SK하이닉스가 2024년 4분기에 삼성전자 전체 영업이익(약 6조5000억원)을 앞선 바 있지만, 연간으로는 이번이 처음이다.

SK하이닉스는 영업이익률에서도 새로운 기록을 썼다. 지난 2023년 1분기 마이너스(-) 67% 수준으로 바닥을 찍었던 영업이익률은 같은 해 4분기에 3%로 전환한 뒤, 매 분기 상승 곡선을 그리고 있다.

2024년 1분기 23%에서 작년 3분기 47%로 두 배 이상 확대됐고, 4분기에 58%를 달성했다. 슈퍼사이클이 도래했던 2018년 3분기(57%) 이후 최대 수치다.

연간 기준 지난해 영업이익률은 49%였으며, 가장 높았던 2018년(52%)과 3%포인트 차이에 불과했다. 특히 작년 4분기 54%를 기록한 TSMC의 영업이익률을 4%포인트 차이로 앞섰다. 연간 기준 격차는 TSMC(50.8%)와 2%포인트도 나지 않았다.

폭발적인 성장을 이끈 건 단연 HBM이었다. HBM 매출은 2024년보다 2배 이상 성장했다. 일반 D램에서도 10나노급 6세대(1c나노) DDR5(더블데이터레이트5) 본격 양산에 돌입하고, 10나노급 5세대(1b 나노) 32Gb 기반으로 업계 최대 용량인 256GB DDR5 RDIMM 개발 등으로 서버향 일반 메모리 수요에도 적극 대응할 수 있었다.

낸드 부문 역시 상반기 수요 부진 속에서도 321단 QLC(쿼드 레벨 셀) 제품 개발을 완료하고, 하반기에는 기업용 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 중심 수요에 대응하며 연간 기준 최대 매출을 기록했다.

SK하이닉스는 관계자는 “AI 중심으로 재편되는 수요 구조에 맞춰 기술 경쟁력 강화와 고부가 제품 비중을 확대해 수익성과 성장성을 동시에 확보한 전략적 대응의 결과”라며 “2025년은 세계 최고 수준의 기술 경쟁력을 다시 한번 입증한 해였다”고 강조했다.

사상 최대 실적으로 확보된 재무 여력을 바탕으로 주주가치 제고를 위해 약 12조2000억원의 보유 자기주식을 소각해 주당 가치를 높이는 동시에 1조원 규모의 주당 1500원 추가 배당을 실시한다. 2025 회계연도 주당 배당금은 3000원으로, 총 2조1000억원의 규모를 주주에게 환원하게 되는 셈이다.

SK하이닉스는 학습에서 추론 중심으로 전환되는 AI 시장에서 분산형 아키텍처 수요가 확대되며 메모리 역할이 더 중요해질 것으로 내다봤다. 이에 HBM과 같은 고성능 메모리 뿐 아니라 서버용 D램과 낸드 등 전반적인 메모리 수요도 지속확대될 것으로 전망했다.

SK하이닉스 관계자는 “HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일 기업으로, 확보된 고객 신뢰를 바탕으로 기술 우위는 물론 검증된 품질과 양산 역량을 강화할 것”이라며 “지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중”이라고 설명했다.

아울러 차세대 핵심 경쟁 요소로 부상하는 커스텀(Custom) HBM 뿐 아니라 일반 D램에서도 1c 나노 전환을 가속해 SOCAMM(소캠)2와 GDDR7(그래픽스 더블데이터레이트) 등 AI 메모리 제품 포트폴리오를 확대할 방침이다.

낸드는 321단 전환을 통해 제품 경쟁력을 극대화하는 한편, 솔리다임의 QLC 기업용 SSD를 활용해 AI 데이터센터향 스토리지 수요에도 적극 대응할 계획이다.

SK하이닉스는 “수급 불균형 속에서도 고객 수요 충족을 최우선으로 고려하며 협력 관계를 강화할 것”이라고 밝혔다. 청주 M15X의 생산력을 조기에 극대화, 용인 1기 팹 건설을 통해 중장기 생산 기반을 안정적으로 확충한다는 방침이다.

청주 P&T7과 미국 인디애나의 어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 공장까지 전공정과 후공정을 아우르는 글로벌 통합 제조 역량을 갖춰 고객 수요 변화에 유연하게 대응할 계획이다.

송현종 SK하이닉스 사장은 “차별화된 기술 경쟁력을 바탕으로 지속 가능한 실적 성장을 창출하는 동시에, 미래 투자와 재무 안정성, 주주환원 간 최적의 균형을 유지해 나가겠다”며 “단순한 제품 공급자를 넘어 고객의 AI 성능 요구를 구현하는 AI 시대의 핵심 인프라 파트너로서 역할을 강화하겠다”고 밝혔다.