SK하이닉스가 지난 2일 대만에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’에 마련된 자사 부스에서 HBM4E 12단 48GB(기가바이트) 샘플 실물과 스펙을 처음으로 공개했다. 젠슨 황 엔비디아 CEO는 HBM4E 코어다이 웨이퍼에 ‘더 만들어 달라(Please make more)’이라고 사인했다. 박지영 기자.

[헤럴드경제=박지영 기자] 대만에서 열린 아시아 최대 IT쇼인 ‘컴퓨텍스 2026’에서 SK하이닉스의 HBM4E(7세대 고대역폭메모리)까지 베일을 벗으면서, HBM4E 경쟁이 본격적으로 막을 올렸다. 차세대 HBM 시장이 고객 맞춤형 시장으로 전환되면서 차세대 HBM 개발과 샘플 출하를 조기에 달성하는 메모리 공급사가 우위를 점할 가능성이 높아지고 있다.

지난 2일 SK하이닉스는 대만 타이베이 ‘컴퓨텍스 2026’에 마련한 자사 부스에서 HBM4E 12단 48GB(기가바이트) 샘플 실물과 스펙을 처음으로 공개했다.

이날 베일을 벗은 SK하이닉스의 HBM4E 핀당 동작속도는 초당 최대 16Gbps로 전작인 HBM4(11.7Gbps)에 비해 속도가 획기적으로 빨라졌다. 데이터 통로는 2048개로 전작과 같았으며, 대역폭은 초당 4.0TB(테라바이트)라고 밝혔다. 단일 D램 칩 하나의 용량은 32Gb(4GB)다.

SK하이닉스가 지난 2일 대만에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’에 마련된 자사 부스에서 HBM4E 12단 48GB(기가바이트) 샘플 실물과 스펙을 처음으로 공개했다. 박지영 기자.

SK하이닉스가 지난 2일 대만에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’에 마련된 자사 부스에서 HBM4E 12단 48GB(기가바이트) 샘플 실물과 스펙을 처음으로 공개했다. 박지영 기자.

SK하이닉스가 지난 2일 대만에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’에 마련된 자사 부스에서 HBM4E 12단 48GB(기가바이트) 샘플 실물과 스펙을 처음으로 공개했다. 박지영 기자.

SK하이닉스는 전작(대역폭 2.9TB/s) 대비 메모리 대역폭이 약 38% 향상됐다고 설명했다. 다이 밀도(Die Density)는 약 33% 향상해 집적도를 높였다. 6세대(1c) 미세 공정을 본격적으로 도입해 수율을 높인 것으로 보인다. 아울러 기존과 똑같은 두께와 크기 안에 더 높은 용량을 구현할 수 있어 패키징에 용이해졌다.

다만 베이스다이 스펙은 따로 밝히지 않았다. HBM4의 경우 코어다이는 10나노급 5세대(1b) D램을, TSMC의 12나노 공정을 적용한 베이스다이를 사용하고 있다. 업계에 따르면 HBM4E에는 코어다이에 10나노급 6세대(1c) D램과 TSMC의 최선단 공정인 3나노 로직 다이를 적용할 것으로 알려졌다.

앞서 SK하이닉스는 1분기 컨퍼런스콜에서 HBM4E 샘플에 대해 “내부적으로는 하반기 샘플 공급을 계획하고 있다”고 했지만, 업계에서는 6~7월께로 샘플 공급 일정이 당겨진 것으로 보고 있다.

삼성전자가 지난 3월 16일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 개막한 엔비디아 GTC 2026에서 7세대 고대역폭 메모리(HBM4E)를 최초 공개했다. 김헌일 기자.

한편 대만 컴퓨텍스에서 HBM5(8세대 고대역폭메모리) 목업(실물모형)을 처음으로 공개한 삼성전자는 지난 5월 세계 최초로 고객사를 상대로 HBM4E 12단 48GB 샘플을 출하했다고 밝혔다. 전작 대비 용량은 30% 이상 늘렸으며, 고객사의 요구에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 확대할 계획이다. 앞서 삼성전자는 지난 3월 미국 산호세에서 열린 엔비디아 ‘GTC 2026’에서 HBM4E 샘플 실물을 선공개했다.

삼성전자가 밝힌 HBM4E 스펙에 따르면 핀당 동작 속도는 최대 16Gbps, 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 제공한다.

코어다이에는 전작과 마찬가지로 1c D램과 삼성전자 파운드리 4나노 로직 다이를 적용했다. 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술로 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다.

마이크론도 늦어도 하반기 HBM4E 샘플을 출하할 것으로 예상된다. 마니쉬 바티아 마이크론 글로벌 운영 담당(COO) 부사장은 지난 5월 JP모건이 주최한 ‘글로벌 테크놀로지, 미디어 콘퍼런스’에서 “HBM4E 개발은 순조롭게 진행 중이며 2027년 램프업(가동률 점진확대)을 예상한다”고 밝힌 바 있다.

업계에 따르면 마이크론은 HBM4E에 삼성전자·SK하이닉스처럼 1c D램을 활용하고, 베이스다이는 자체 생산 대신 TSMC를 사용할 것으로 알려졌다.

차세대 HBM 시장의 패러다임이 ‘고객 맞춤형’으로 빠르게 전환 되면서 샘플 출하 시기도 시장 선점에 중요한 영향을 미치고 있다. 샘플을 먼저 공급해 성능 검증과 최적화 작업을 신속하게 진행하면 물량 배정에서도 유리한 위치에 설 수 있다는 의미다.

HBM4E의 경우 엔비디아의 차세대 AI칩 루빈 울트라에 탑재된다. 루빈 울트라는 GPU당 384GB의 HBM을 탑재할 것으로 예상되는데, HBM4E 12단 48GB 제품을 기준으로 8개가 들어가는 셈이다. 전작인 HBM4를 사용하는 베라루빈 칩은 약 HBM4 12단 36GB가 약 8개 정도 탑재돼 288GB를 확보했다.

전작보다 더 많은 메모리를 사용하면서, 선점 경쟁도 벌써 뜨거워지고 있다. 업계에 따르면 HBM4 기준 SK하이닉스은 60~70% 물량을, 삼성전자는 25~30%, 마이크론은 약 10~15% 수준의 물량을 배정받은 것으로 알려졌다.

대만 시장조사업체 트렌드포스는 “올해 2분기에 접어들면서 주요 구매자와 공급업체간 협상은 내년 시장의 주류가 될 HBM4 공급 계약을 중심으로 이동했다”며 “이러한 변화는 타이트 해지는 시장 주기 속에서 삼성전자와 SK하이닉스가 HBM4·HBM4E 개발을 얼마나 가속화 하고 있는지 잘 보여준다”고 평했다. 맞춤형 성격이 강한 HBM 시장 특성상 퍼스트 무버가 물량 확보와 가격 주도권 측면에서 유리하기 때문에 차세대 샘플 개발·출하에 속도를 내는 것이다.