‘엔비디아 AI 칩 탑재’ 고성능 S램 기술
DTCO·차세대 2나노 기술 등도 선보여
삼성전자 파운드리사업부가 1일 ‘세이프(SAFE·Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2026’을 열고 글로벌 인공지능(AI) 반도체 고객사를 붙잡기 위한 차세대 기술 로드맵을 공개했다.
특히 엔비디아의 첫 AI 추론 전용 칩 ‘그록3 언어처리장치(LPU)’에 탑재돼 주목받은 ‘S램(SRAM)’ 기술 경쟁력 강화 방안을 제시하며 AI 반도체 성능 향상을 위한 혁신 전략을 공유했다.
그록3 LPU는 현재 삼성전자 파운드리사업부가 수주해 생산 중인 제품이다. 삼성전자는 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 올 3월 ‘GTC 2026’ 당시 서명한 그록3 LPU 웨이퍼 실물도 전시하며 양사의 공고한 협업 관계를 과시했다.
이날 서울 서초구 삼성전자 서초사옥 다목적홀에서 열린 세이프 포럼 2026은 ‘실리콘 인텔리전스를 위한 연결(The Nexus for Silicon Intelligence)’을 주제로 진행됐다.
세이프 포럼은 삼성전자가 파운드리 고객 및 협력사들과 최신 기술동향을 공유하는 연례 행사다. 이날 포럼에는 고객·파트너사 관계자 400여 명이 참석했다.
이날 저녁에는 고객사 및 협력사의 C레벨 인사들이 모여 만찬을 갖는 ‘삼성 파운드리 포럼(SFF) 2026’이 이어진다. 이 자리에는 파운드리사업부 수장인 한진만 사장 등이 참석할 전망이다.
최근 AI 반도체 주문 폭발로 세계 1위 파운드리인 대만 TSMC가 공급 차질을 빚는 가운데 삼성전자가 대안으로 주목받고 있어 이날 행사에 더욱 관심이 쏠렸다.
기조연설에 나선 신종신 삼성전자 파운드리사업부 디자인 플랫폼 개발실장은 “글로벌 AI·HPC(고성능컴퓨팅) 고객사와의 협력을 본격화하는 한편 국내 시스템반도체 고객사와의 협력도 강화하고 있으며 파운드리 생산을 넘어 국내 시스템반도체 산업 플랫폼 역할을 강화하겠다”고 말했다.
아울러 AI 반도체 고객사의 제품 경쟁력 향상을 위한 공정·설계 혁신 전략도 소개했다. 특히 반도체 설계와 공정 기술을 동시에 최적화하는 DTCO (Design Technology Co-Optimization)를 비롯해 차세대 2나노미터(㎚) 공정 기술, AI 반도체에 최적화된 공정 혁신 방향 등을 공개했다.
이날 AI 반도체 성능 향상의 핵심 요소로 주목받고 있는 S램 기술 경쟁력 강화 방안도 소개됐다. S램은 D램보다 데이터 처리 속도가 빨라 AI 반도체를 개발하는 빅테크 기업들로부터 각광받고 있다. 다만 데이터를 저장하는 셀의 크기가 크고 회로 구조가 복잡해 대용량화에는 한계가 있다.
삼성전자는 “DTCO 전략과 고성능 S램 기술을 통해 전력·성능·면적 경쟁력을 지속 향상시키며 AI 반도체 고객들이 요구하는 차세대 제품 개발을 지원하고 있다”고 강조했다.
삼성전자 파운드리를 활용하고 있는 국내 AI 팹리스(설계전문) 업체 리벨리온의 박성현 최고경영자(CEO)는 ‘실리콘에서 양산까지: 리벨리온과 삼성이 여는 에이전틱 AI 시대’를 주제로 발표에 나섰다.
박 CEO는 “삼성전자 4나노 파운드리 공정과 첨단 패키징 등을 기반으로 ‘리벨100’ NPU(신경망처리장치)를 개발했다”며 “향후 AI 반도체 영역에서 협력하며 소버린 AI를 구축할 것”이라고 밝혔다. 김현일·박지영 기자



